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冷凍脫硝設(shè)備降低了系統(tǒng)運行能耗

更新時間:2022-04-29      點擊次數(shù):1716
  冷凍脫硝設(shè)備通過膜法冷凍技術(shù),將回流輕鹽水中積累的硫酸鹽以硝的形式從鹽水系統(tǒng)中去除。脫硝工藝通過淡鹽水預(yù)處理、納濾膜濃縮、濃液冷凍和離心分離四個過程實現(xiàn)??偨Y(jié)了生產(chǎn)過程中常見的設(shè)備故障和膜污染物的特點,并給出了處理方法通過對氫氧化鋰?yán)鋬雒撓踉砗筒牧咸匦缘姆治?,將冷凍脫硝變?yōu)檫B續(xù)生產(chǎn)工藝和設(shè)備。通過工藝系統(tǒng)和設(shè)備的優(yōu)化,降低了冷凍母液中SiO2-等雜質(zhì)含量和硝中鋰離子的含量,提高了鋰的直接收率,降低了系統(tǒng)運行能耗,降低了氫氧化鋰的生產(chǎn)成本。
  

冷凍脫硝設(shè)備

 

  1、冷凍脫硝母液中硫酸鈉含量應(yīng)盡量低;
  
  2、分離出的十水硫酸鈉晶體上附著的液體量應(yīng)盡量少,以提高鋰的直接收率;
  
  3、冷凍母液與十水硫酸鈉晶體密度差小,低溫下冷凍母液粘度大,十水硫酸鈉沉降很慢;
  
  4、由于硫酸系統(tǒng)冷卻面的熱交換溫度差,冷卻面上有一定的鈉含量,造成一定的鈉含量。
  
  一般來說,冷凍脫硝設(shè)備冷卻速度越快,過飽和度必須迅速增加。在生產(chǎn)中,如果冷卻速度快,過飽和度大,很容易超過亞穩(wěn)區(qū)的界限,析出大量晶核,得不到大晶體。漿料固液比對母液過飽和消失的影響需要一定的晶面。固液比高,晶體表面積大,過飽和*消失。這不僅可以使已有的晶體生長,還可以防止過飽和的積累,減少細(xì)晶的產(chǎn)生。因此,應(yīng)保持適當(dāng)?shù)墓桃罕?。結(jié)晶停留時間的影響停留時間是結(jié)晶器中塔板物料與單位時間產(chǎn)量的比值。在結(jié)晶器中,結(jié)晶顆粒的停留時間較長,有利于結(jié)晶顆粒的生長。在模具中晶漿固液比不變的情況下,模盤的存量也不變;因此,單位時間產(chǎn)率小,停留時間長,可獲得較大的粒狀晶體。
  
  總之,冷凍脫硝設(shè)備設(shè)計中如何選擇和組合系統(tǒng)裝置,不能從局部的合理性考慮,而應(yīng)從整個系統(tǒng)的角度考慮,從而獲得整個系統(tǒng)的合理性。

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